International Rectifier (Infineon Technologies)

IRL6342PBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRL6342PBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRL6342PBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta)
Emballage

Tube
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

SP001558090
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1025pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 9.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9.9A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRL6342PBF".

IRL6372PBF

La description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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