IRLB4030PBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRLB4030PBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRLB4030PBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3 mOhm @ 110A, 10V
Dissipation de puissance (max)

370W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

SP001552594
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

11360pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 180A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

180A (Tc)

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IRLB8748PBF

La description:

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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