International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLML2803TR

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Spécifications

Modèle de produit

IRLML2803TR
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

IRLML2803TR.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

Micro3™/SOT-23
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 910mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

540mW (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

*IRLML2803TR
IRLML2803
IRLML2803-ND
IRLML2803CT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

85pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.2A (Ta)

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IRLML6246TRPBF

La description:

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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