IRLR3103PBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRLR3103PBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRLR3103PBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D-Pak
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 33A, 10V
Dissipation de puissance (max)

107W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

SP001558912
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 55A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

55A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRLR3103PBF".

IRLR2905TRR

La description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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