SIDC02D60C6X1SA4

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Spécifications

Modèle de produit

SIDC02D60C6X1SA4
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

SIDC02D60C6X1SA4.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.95V @ 6A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

Sawn on foil
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Bulk
Package / Boîte

Die
Autres noms

SIDC02D60C6
SIDC02D60C6-ND
SP000014997
Température d'utilisation - Jonction

-40°C ~ 175°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 6A (DC) Surface Mount Sawn on foil
Courant - fuite, inverse à Vr

27µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

6A (DC)
Capacité à Vr, F

-

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livraison
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SIDC03D120H6X1SA3

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

En stock

SIDC02D60C6X1SA4

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