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Spécifications

Modèle de produit

SIDC08D60C6
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

SIDC08D60C6.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.95V @ 30A
Tension - inverse (Vr) (max)

600V
Package composant fournisseur

Sawn on foil
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Bulk
Package / Boîte

Die
Autres noms

SP000015029
Température d'utilisation - Jonction

-40°C ~ 175°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 600V 30A (DC) Surface Mount Sawn on foil
Courant - fuite, inverse à Vr

27µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

30A (DC)
Capacité à Vr, F

-

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "SIDC08D60C6".

SIDC08D120H6X1SA1

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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SIDC08D60C6

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