International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB07N60C3ATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

SPB07N60C3ATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

SPB07N60C3ATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 350µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO263-3-2
Séries

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 4.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

83W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

SP000013518
SPB07N60C3
SPB07N60C3ATMA1TR
SPB07N60C3INTR
SPB07N60C3INTR-ND
SPB07N60C3XT
SPB07N60C3XT-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7.3A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "SPB07N60C3ATMA1".

SPB08P06PGATMA1

La description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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