International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB10N10L G

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Spécifications

Modèle de produit

SPB10N10L G
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

SPB10N10L G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 21µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO263-3-2
Séries

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

154 mOhm @ 8.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

50W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

SP000102169
SPB10N10L G-ND
SPB10N10LGINTR
SPB10N10LGXT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

444pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10.3A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "SPB10N10L G".

SPB105-AK-1

La description: WIFI BRD 802.11B/G 10PIN HEADER

Fabricant: H&D Wireless

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