International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB35N10T

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Spécifications

Modèle de produit

SPB35N10T
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

SPB35N10T.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 83µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO263-3-2
Séries

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

44 mOhm @ 26.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

150W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

SP000013627
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

35A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "SPB35N10T".

SPB73N03S2L-08

La description: MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

En stock

SPB35N10T

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