International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB80N03S2L-03 G

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Spécifications

Modèle de produit

SPB80N03S2L-03 G
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

SPB80N03S2L-03 G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO263-3-2
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

SP000200142
SPB80N03S2L-03 G-ND
SPB80N03S2L-03G
SPB80N03S2L03GXT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8180pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

80A (Tc)

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SPB80N03S2L-06 G

La description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

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