SPP20N60S5

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Spécifications

Modèle de produit

SPP20N60S5
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

SPP20N60S5.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO220-3-1
Séries

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max)

208W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

SPP20N60S5BKSA1
SPP20N60S5IN
SPP20N60S5X
SPP20N60S5XTIN
SPP20N60S5XTIN-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

103nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

20A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "SPP20N60S5".

SPP21N10

La description: MOSFET N-CH 100V 21A TO-220AB

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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