International Rectifier (Infineon Technologies)

SPS02N60C3

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Spécifications

Modèle de produit

SPS02N60C3
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

SPS02N60C3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 80µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO251-3
Séries

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

25W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Autres noms

SP000235878
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.8A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "SPS02N60C3".

SPS02N60C3BKMA1

La description: LOW POWER_LEGACY

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