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1SR159-200TE25

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Spécifications

Modèle de produit

1SR159-200TE25
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1SR159-200TE25.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

980mV @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

200V
Package composant fournisseur

PMDS
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

50ns
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-214AC, SMA
Autres noms

1SR159200TE25
Température d'utilisation - Jonction

150°C (Max)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 200V 1A Surface Mount PMDS
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

-

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Ce qui suit est des produits liés à "1SR159-200TE25".

1SR139-600T-31

La description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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