2SA1900T100Q

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Spécifications

Modèle de produit

2SA1900T100Q
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2SA1900T100Q.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

MPT3
Séries

-
Puissance - Max

2W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-243AA
Autres noms

2SA1900T100QTR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

150MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 1A 150MHz 2W Surface Mount MPT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1A
Numéro de pièce de base

2SA1900

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Ce qui suit est des produits liés à "2SA1900T100Q".

2SA1930,LBS2DIAQ(J

La description: TRANS PNP 2A 180V TO220-3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

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