2081016

2SAR293P5T100

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Spécifications

Modèle de produit

2SAR293P5T100
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.2SAR293P5T100.pdf
2.2SAR293P5T100.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 500mA
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

MPT3
Séries

-
Puissance - Max

500mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-243AA
Autres noms

2SAR293P5T100TR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

320MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 1A 320MHz 500mW Surface Mount MPT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

270 @ 100mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "2SAR293P5T100".

2SA965-Y,SWFF(M

La description: TRANS PNP 800MA 120V TO226-3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

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