2SD2211T100R

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Spécifications

Modèle de produit

2SD2211T100R
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2SD2211T100R.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2V @ 100mA, 1A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

MPT3
Séries

-
Puissance - Max

2W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-243AA
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

80MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 1.5A 80MHz 2W Surface Mount MPT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1.5A

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2SD2212T100

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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