DTA023YUBTL

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Spécifications

Modèle de produit

DTA023YUBTL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.DTA023YUBTL.pdf
2.DTA023YUBTL.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type

PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur

UMT3F
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

10 kOhms
Résistance - Base (R1)

2.2 kOhms
Puissance - Max

200mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

SC-85
Autres noms

DTA023YUBTLCT
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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DTA043EEBTL

La description:

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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