DTC124XUAT106

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Spécifications

Modèle de produit

DTC124XUAT106
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.DTC124XUAT106.pdf
2.DTC124XUAT106.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

UMT3
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

47 kOhms
Résistance - Base (R1)

22 kOhms
Puissance - Max

200mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

SC-70, SOT-323
Autres noms

DTC124XUAT106CT
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

50mA
Numéro de pièce de base

DTC124

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "DTC124XUAT106".

DTC124XETL

La description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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