DTC363EUT106

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Spécifications

Modèle de produit

DTC363EUT106
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DTC363EUT106.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

80mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

UMT3
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

6.8 kOhms
Résistance - Base (R1)

6.8 kOhms
Puissance - Max

200mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SC-70, SOT-323
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

200MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

600mA
Numéro de pièce de base

DTC363

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DTC323TKT146

La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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