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5665668DTD543ZMT2L imageLAPIS Semiconductor

DTD543ZMT2L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DTD543ZMT2L
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.DTD543ZMT2L.pdf
    2.DTD543ZMT2L.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    12V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 5mA, 100mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    VMT3
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-723
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    260MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    140 @ 100mA, 2V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    500mA
  • Numéro de pièce de base
    DTD543

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DTD543EETL

DTD543EETL

La description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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DTD713ZETL

DTD713ZETL

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DTD713ZMT2L

DTD713ZMT2L

La description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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DTD743ZMT2L

DTD743ZMT2L

La description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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RFQ
DTD743ZETL

DTD743ZETL

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DTD513ZETL

DTD513ZETL

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DTD513ZMGT2L

DTD513ZMGT2L

La description: DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V),

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DTD513ZMT2L

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DTD543ZETL

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DTD543XMT2L

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DTD723YETL

DTD723YETL

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DTD743EETL

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DTD723YMT2L

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DTD743XETL

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DTD543EMT2L

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DTD743XMT2L

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DTD743EMT2L

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DTD543XETL

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DTD523YMT2L

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DTD523YETL

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