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4745890EMA11T2R imageLAPIS Semiconductor

EMA11T2R

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Spécifications
  • Modèle de produit
    EMA11T2R
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    EMT5
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
EMA14DRMD-S288

EMA14DRMD-S288

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EMA10DTKN-S288

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EMA10DTMS

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EMA10DTKT-S288

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EMA14DRMN-S288

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EMA10DTMD

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EMA14DRMS

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EMA10DTMN

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EMA10DTMH

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EMA14DRMD

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EMA14DRMT

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EMA14DRMH-S288

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EMA14DRMI

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EMA14DRMH

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EMA14DRMN

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EMA10DTMT

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EMA10DTKS

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EMA10DTKT

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