EMB61T2R

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Spécifications

Modèle de produit

EMB61T2R
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.EMB61T2R.pdf
2.EMB61T2R.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

EMT6
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

10 kOhms
Résistance - Base (R1)

10 kOhms
Puissance - Max

150mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SOT-563, SOT-666
Autres noms

EMB61T2RTR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

50mA

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

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EMB2T2R

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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