EMD30T2R

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Spécifications

Modèle de produit

EMD30T2R
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

EMD30T2R.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V, 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

EMT6
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

10 kOhms
Résistance - Base (R1)

10 kOhms, 1 kOhms
Puissance - Max

150mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SOT-563, SOT-666
Autres noms

EMD30T2R-ND
EMD30T2RTR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz, 260MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 30V 100mA, 200mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA, 200mA
Numéro de pièce de base

*MD30

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La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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