EMX1FHAT2R

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Spécifications

Modèle de produit

EMX1FHAT2R
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.EMX1FHAT2R.pdf
2.EMX1FHAT2R.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type

2 NPN (Dual)
Package composant fournisseur

EMT6
Séries

Automotive, AEC-Q101
Puissance - Max

150mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SOT-563, SOT-666
Autres noms

EMX1FHAT2RTR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

180MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount EMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

150mA

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Ce qui suit est des produits liés à "EMX1FHAT2R".

ULN2004AINSRG4

La description: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments

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