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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > IMB9AT110
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6559349IMB9AT110 imageLAPIS Semiconductor

IMB9AT110

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IMB9AT110
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IMB9AT110.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    SMT6
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    10 kOhms
  • Puissance - Max
    300mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-74, SOT-457
  • Autres noms
    IMB9AT110-ND
    IMB9AT110TR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    MB9

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IMB9AT110".
IMB3AT110

IMB3AT110

La description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
IMBD4148-G3-18

IMBD4148-G3-18

La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08

La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IMB5AT108

IMB5AT108

La description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
IMBD4448-E3-18

IMBD4448-E3-18

La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IMB4AT110

IMB4AT110

La description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
IMBD4448-G3-08

IMBD4448-G3-08

La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IMBD4148-G3-08

IMBD4148-G3-08

La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IMB36656C

IMB36656C

La description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

Fabricant: Crouzet
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RFQ
IMB36656M12

IMB36656M12

La description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

Fabricant: Crouzet
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RFQ
IMBD4148-HE3-08

IMBD4148-HE3-08

La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IMBD4148-E3-08

IMBD4148-E3-08

La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IMBD4148-HE3-18

IMBD4148-HE3-18

La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
IMBD4448-G3-18

IMBD4448-G3-18

La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
IMB36654M8

IMB36654M8

La description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8

Fabricant: Crouzet
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RFQ
IMB36654C

IMB36654C

La description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M

Fabricant: Crouzet
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RFQ
IMB7AT108

IMB7AT108

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
IMB36654M12

IMB36654M12

La description: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12

Fabricant: Crouzet
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RFQ
IMB36656M8

IMB36656M8

La description: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

Fabricant: Crouzet
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RFQ
IMBD4148-E3-18

IMBD4148-E3-18

La description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
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