R5011ANJTL

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Spécifications

Modèle de produit

R5011ANJTL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

R5011ANJTL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

LPTS
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

500 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

75W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 11A (Ta) 75W (Tc) Surface Mount LPTS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

11A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "R5011ANJTL".

R5011610XXWA

La description: DIODE GEN PURP 1.6KV 100A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.

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