R5021ANX

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Spécifications

Modèle de produit

R5021ANX
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 500V 21A TO220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

R5021ANX.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220FM
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

210 mOhm @ 10.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

50W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Autres noms

R5021ANXCT
R5021ANXCT-ND
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 21A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

21A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "R5021ANX".

R5030613LSWA

La description: DIODE GEN PURP 600V 125A DO205AA

Fabricant: Powerex, Inc.

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