R6002END3TL1

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Spécifications

Modèle de produit

R6002END3TL1
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

NCH 600V 2A POWER MOSFET
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

R6002END3TL1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

26W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

R6002END3TL1DKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

65pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount TO-252
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.7A (Tc)

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livraison
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R6002ENDTL

La description: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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