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5604101RAF040P01TCL imageLAPIS Semiconductor

RAF040P01TCL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RAF040P01TCL
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.RAF040P01TCL.pdf
    2.RAF040P01TCL.pdf
    3.RAF040P01TCL.pdf
    4.RAF040P01TCL.pdf
    5.RAF040P01TCL.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    -8V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TUMT3
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Dissipation de puissance (max)
    800mW (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    3-SMD, Flat Leads
  • Autres noms
    RAF040P01TCL-ND
    RAF040P01TCLTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4000pF @ 6V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    37nC @ 4.5V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.5V, 4.5V
  • Tension drain-source (Vdss)
    12V
  • Description détaillée
    P-Channel 12V 4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    4A (Ta)

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RAFC3EI-X

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