RCX330N25

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Spécifications

Modèle de produit

RCX330N25
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RCX330N25.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220FM
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

-
Dissipation de puissance (max)

2.23W (Ta), 40W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

250V
Description détaillée

N-Channel 250V 33A (Ta) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

33A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "RCX330N25".

RCX080N25

La description: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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