RGW80TS65DGC11

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Spécifications

Modèle de produit

RGW80TS65DGC11
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RGW80TS65DGC11.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 40A
Condition de test

400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

44ns/143ns
énergie de commutation

760µJ (on), 720µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-247N
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

92ns
Puissance - Max

214W
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

15 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

110nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 78A 214W Through Hole TO-247N
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

160A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

78A

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livraison
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RGW60TS65DGC11

La description: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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