RHU002N06T106

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Spécifications

Modèle de produit

RHU002N06T106
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RHU002N06T106.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

UMT3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

200mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SC-70, SOT-323
Autres noms

RHU002N06T106-ND
RHU002N06T106TR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

200mA (Ta)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "RHU002N06T106".

FDB8445-F085

La description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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