RRH040P03TB1

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Spécifications

Modèle de produit

RRH040P03TB1
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 30V 4A SOP8
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RRH040P03TB1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SOP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

650mW (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

RRH040P03TB1CT
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 4A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "RRH040P03TB1".

FDMA507PZ

La description: MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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