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4120334RS1E300GNTB imageLAPIS Semiconductor

RS1E300GNTB

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RS1E300GNTB
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RS1E300GNTB.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-HSOP
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    3W (Ta), 33W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-PowerTDFN
  • Autres noms
    RS1E300GNTBTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2500pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    39.8nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 30A (Ta) 3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    30A (Ta)

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