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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RS1G300GNTB
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5539371RS1G300GNTB imageLAPIS Semiconductor

RS1G300GNTB

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RS1G300GNTB
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.RS1G300GNTB.pdf
    2.RS1G300GNTB.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-HSOP
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    3W (Ta), 35W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-PowerTDFN
  • Autres noms
    RS1G300GNTBTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    40 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4230pF @ 20V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    56.8nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    40V
  • Description détaillée
    N-Channel 40V 30A (Ta) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    30A (Ta)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "RS1G300GNTB".
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
RS1GFSHMXG

RS1GFSHMXG

La description: DIODE, FAST, 1A, 400V

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

La description: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1GB-13

RS1GB-13

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
RS1GFA

RS1GFA

La description: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

La description: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

La description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

La description: DIODE, FAST, 1A, 400V

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

La description: DIODE

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

La description: DIODE

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

La description: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

La description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
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