Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RSS100N03TB
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
2339746

RSS100N03TB

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    RSS100N03TB
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RSS100N03TB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-SOP
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Autres noms
    RSS100N03TB-ND
    RSS100N03TBTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1070pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    10A (Ta)

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "RSS100N03TB".
RSS125N03TB

RSS125N03TB

La description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS100N03FU6TB

RSS100N03FU6TB

La description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS125N03FU6TB

RSS125N03FU6TB

La description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS110N03FU6TB

RSS110N03FU6TB

La description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS100N03FRATB

RSS100N03FRATB

La description: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS110N03TB

RSS110N03TB

La description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS095N05FU6TB

RSS095N05FU6TB

La description: MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS140N03TB

RSS140N03TB

La description: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS090P03FU6TB

RSS090P03FU6TB

La description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS0E561MCN1GS

RSS0E561MCN1GS

La description: CAP ALUM POLY 560UF 20% 2.5V SMD

Fabricant: Nichicon
En stock
RFQ
RSS090P03TB

RSS090P03TB

La description: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS0J101MCN1GS

RSS0J101MCN1GS

La description: CAP ALUM POLY 100UF 20% 6.3V SMD

Fabricant: Nichicon
En stock
RFQ
RSS105N03TB

RSS105N03TB

La description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS090P03FU7TB

RSS090P03FU7TB

La description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS130N03FU6TB

RSS130N03FU6TB

La description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS120N03TB

RSS120N03TB

La description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS0J221MCN1GS

RSS0J221MCN1GS

La description: CAP ALUM POLY 220UF 20% 6.3V SMD

Fabricant: Nichicon
En stock
RFQ
RSS120N03FU6TB

RSS120N03FU6TB

La description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
RSS0J331MCN1GS

RSS0J331MCN1GS

La description: CAP ALUM POLY 330UF 20% 6.3V SMD

Fabricant: Nichicon
En stock
RFQ
RSS105N03FU6TB

RSS105N03FU6TB

La description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.