RT1A060APTR

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Spécifications

Modèle de produit

RT1A060APTR
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.RT1A060APTR.pdf
2.RT1A060APTR.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

-8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-TSST
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 6A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

600mW (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-SMD, Flat Lead
Autres noms

RT1A060APCT
RT1A060APTRCT
RT1A060APTRCT-ND
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7800pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

12V
Description détaillée

P-Channel 12V 6A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "RT1A060APTR".

RT184005

La description: RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 5V

Fabricant: Agastat Relays / TE Connectivity

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