RTF010P02TL

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Spécifications

Modèle de produit

RTF010P02TL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RTF010P02TL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TUMT3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

800mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

3-SMD, Flat Leads
Autres noms

RTF010P02TLTR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1A (Ta)

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RTF015N03TL

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Fabricant: LAPIS Semiconductor

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