RUS100N02TB

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Spécifications

Modèle de produit

RUS100N02TB
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RUS100N02TB.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SOP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 10A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

2W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

RUS100N02TBTR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10A (Ta)

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livraison
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RUS10RE

La description: POT 10 OHM 1000W WIREWOUND LIN

Fabricant: Ohmite

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