RYC002N05T316

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Spécifications

Modèle de produit

RYC002N05T316
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.RYC002N05T316.pdf
2.RYC002N05T316.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SST3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

350mW (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

RYC002N05T316CT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V
Tension drain-source (Vdss)

50V
Description détaillée

N-Channel 50V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Surface Mount SST3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

200mA (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "RYC002N05T316".

RYC8240-4WM

La description: IC PWR DIST SWITCH QUAD 16-SOIC

Fabricant: Hamlin / Littelfuse

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