UMB3NFHATN

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Spécifications

Modèle de produit

UMB3NFHATN
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.UMB3NFHATN.pdf
2.UMB3NFHATN.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type

2 PNP Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

UMT6
Séries

Automotive, AEC-Q101
Puissance - Max

150mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms

UMB3NFHATNTR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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Ce qui suit est des produits liés à "UMB3NFHATN".

UMB1NTN

La description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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