UMC3NTR

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Spécifications

Modèle de produit

UMC3NTR
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

UMC3NTR.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

UMT5
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

10 kOhms
Résistance - Base (R1)

10 kOhms
Puissance - Max

150mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "UMC3NTR".

UMC5NT1G

La description: TRANS BRT NPN/PNP DUAL SOT-353

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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