UMD22NTR

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Spécifications

Modèle de produit

UMD22NTR
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.UMD22NTR.pdf
2.UMD22NTR.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

UMT6
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

47 kOhms
Résistance - Base (R1)

4.7 kOhms
Puissance - Max

150mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms

UMD22NCT
UMD22NTRCT
UMD22NTRCT-ND
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

*MD22

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "UMD22NTR".

UMD5NTR

La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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