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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > UMF5NTR
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UMF5NTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    UMF5NTR
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.UMF5NTR.pdf
    2.UMF5NTR.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V, 12V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
  • Transistor Type
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Package composant fournisseur
    UMT6
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    47 kOhms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz, 260MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA, 500mA
  • Numéro de pièce de base
    *MF5

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "UMF5NTR".
UMFT120DC

UMFT120DC

La description: BOARD EVAL FOR FT120

Fabricant: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
En stock
RFQ
UMF4NTR

UMF4NTR

La description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
UMFT12XEV

UMFT12XEV

La description: MAINBOARD FOR F12X

Fabricant: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
En stock
RFQ
UMF28NTR

UMF28NTR

La description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
UMFT121DC

UMFT121DC

La description: BOARD EVAL FOR FT121

Fabricant: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
En stock
RFQ
UMF1V6R8MDD

UMF1V6R8MDD

La description: CAP ALUM 6.8UF 20% 35V RADIAL

Fabricant: Nichicon
En stock
RFQ
UMF1V4R7MDD1TP

UMF1V4R7MDD1TP

La description: CAP ALUM 4.7UF 20% 35V RADIAL

Fabricant: Nichicon
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RFQ
UMF24NTR

UMF24NTR

La description: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
UMFT200XD-01

UMFT200XD-01

La description: BOARD BREAKOUT USB I2C FT200X

Fabricant: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
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RFQ
UMFT200XD-NC

UMFT200XD-NC

La description: USB TO I2C DEVELOPMENT BREAKOUT

Fabricant: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
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RFQ
UMF21NTR

UMF21NTR

La description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
UMF8NTR

UMF8NTR

La description: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
UMF1V6R8MDD1TP

UMF1V6R8MDD1TP

La description: CAP ALUM 6.8UF 20% 35V RADIAL

Fabricant: Nichicon
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RFQ
UMF6NTR

UMF6NTR

La description: TRANS PNP/N-CH 12V 500MA SOT-363

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
UMF1V6R8MDD1TE

UMF1V6R8MDD1TE

La description: CAP ALUM 6.8UF 20% 35V RADIAL

Fabricant: Nichicon
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RFQ
UMF23NTR

UMF23NTR

La description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
UMF9NTR

UMF9NTR

La description: TRANS NPN/N-CH 12V 500MA SOT-363

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
UMF32NTR

UMF32NTR

La description: TRANS PNP DUAL 50V UMT6

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
UMFT200XD-WE

UMFT200XD-WE

La description: USB TO I2C DEVELOPMENT BREAKOUT

Fabricant: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
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RFQ
UMFT122DC

UMFT122DC

La description: BOARD EVAL FOR FT122

Fabricant: FTDI (Future Technology Devices International, Ltd
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