1951333

UMG11NTR

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Spécifications

Modèle de produit

UMG11NTR
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.UMG11NTR.pdf
2.UMG11NTR.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

UMT5
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

47 kOhms
Résistance - Base (R1)

2.2 kOhms
Puissance - Max

150mW
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Autres noms

UMG11NDKR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

*MG11

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Ce qui suit est des produits liés à "UMG11NTR".

RN1906FE(T5L,F,T)

La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

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