UMH1NTN

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Spécifications

Modèle de produit

UMH1NTN
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.UMH1NTN.pdf
2.UMH1NTN.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

UMT6
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

22 kOhms
Résistance - Base (R1)

22 kOhms
Puissance - Max

150mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms

UMH1NTN-ND
UMH1NTNTR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

250MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

*MH1

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UMH3NFHATN

La description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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