ZDS020N60TB

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Spécifications

Modèle de produit

ZDS020N60TB
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 8SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZDS020N60TB.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SOP
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

2W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 630mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

630mA (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "ZDS020N60TB".

ZDS1009TA

La description: IC CURRENT MIRROR SM8

Fabricant: Diodes Incorporated

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