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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD19506KCS
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CSD19506KCS

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Spécifications
  • Modèle de produit
    CSD19506KCS
  • Fabricant / marque
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 80V TO-220-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Demande de vérification d'inventaire / conforme RoHS
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220-3
  • Séries
    NexFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    375W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Autres noms
    296-37169-5
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    35 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Request inventory verification / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    12200pF @ 40V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    156nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    6V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    80V
  • Description détaillée
    N-Channel 80V 100A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    100A (Ta)

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Expédition
Paiement
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Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments
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Fabricant: Luminary Micro / Texas Instruments
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La description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SON

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