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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR
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2097846EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR imageMicron Technology

EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Package composant fournisseur
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    134-VFBGA
  • Autres noms
    EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR-ND
    EDB5432BEBH-1DIT-F-RTR
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (16M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Fréquence d'horloge
    533MHz

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EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
EDB8132B4PM-1D-F-D

EDB8132B4PM-1D-F-D

La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB4432BBPA-1D-F-R TR

EDB4432BBPA-1D-F-R TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB4432BBPE-1D-F-D

EDB4432BBPE-1D-F-D

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
EDB7312

EDB7312

La description: KIT DEVELOPMENT EP73XX ARM7

Fabricant: Cirrus Logic
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EDB5432BEBH-1DIT-F-D

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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EDB4432BBPA-1D-F-D

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La description: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Fabricant: Micron Technology
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EDB5432BEPA-1DIT-F-D

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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EDB8132B4PB-8D-F-R TR

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La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

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EDB5432BEPA-1DIT-F-R

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Fabricant: Micron Technology
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La description: IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA

Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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