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EDF8164A3MA-JD-F-R TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    EDF8164A3MA-JD-F-R TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Autres noms
    EDF8164A3MA-JD-F-R
    EDF8164A3MA-JD-F-R TR-ND
    EDF8164A3MA-JD-F-RTR
  • Température de fonctionnement
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    8Gb (128M x 64)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 933MHz
  • Fréquence d'horloge
    933MHz

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EDF8164A3MD-GD-F-R

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La description: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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EDF8164A3MC-GD-F-R

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Fabricant: Micron Technology
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EDF8132A3PF-GD-F-D

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Fabricant: Micron Technology
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EDF8164A3MA-GD-F-D

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Fabricant: Micron Technology
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EDF8164A3MC-GD-F-D

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EDF8132A3PK-GD-F-D

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EDF8132A3PD-GD-F-D

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EDF8132A3PB-JD-F-R TR

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EDF8164A3MA-JD-F-D

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EDF8164A3PF-GD-F-D

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EDF8164A3PD-GD-F-D

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EDF8132A3PK-GD-F-R TR

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